Ştiri

Veteksemicon strălucește la 2025 Shanghai SEMICON International Exhibition, conducând viitorul industriei semiconductoarelor cu tehnologii inovatoare

În industria de fabricație a semiconductorilor, pe măsură ce dimensiunea dispozitivului continuă să se micșoreze, tehnologia de depunere a materialelor de film subțire a reprezentat provocări fără precedent. Depunerea atomică a stratului (ALD), ca tehnologie de depunere a filmului subțire care poate obține un control precis la nivel atomic, a devenit o parte indispensabilă a producției de semiconductori. Acest articol își propune să introducă fluxul de proces și principiile ALD pentru a ajuta la înțelegerea rolului său important în fabricarea avansată a cipurilor.

Este ideal pentru a construi circuite integrate sau dispozitive semiconductoare pe un strat de bază cristalin perfect. Procesul de epitaxie (EPI) în fabricarea semiconductorilor își propune să depună un strat fin-cristalin fin, de obicei aproximativ 0,5 până la 20 microni, pe un substrat cu un singur cristalin. Procesul de epitaxie este un pas important în fabricarea dispozitivelor cu semiconductor, în special la fabricarea de napolitane de siliciu.