Receptor UV LED

VeTek Semiconductor este un producător specializat în susceptori LED UV, are mulți ani de experiență în cercetare și dezvoltare și producție în susceptori LED EPI și a fost recunoscut de mulți clienți din industrie.

LED-ul, adică o diodă emițătoare de lumină semiconductoare, natura fizică a luminiscenței sale este aceea că, după ce joncțiunea semiconductoare pn este alimentată, sub antrenarea potențialului electric, electronii și găurile din materialul semiconductor sunt combinate pentru a genera fotoni, astfel încât obținerea luminiscenței semiconductoarelor. Prin urmare, tehnologia epitaxială este unul dintre fundamentele și nucleul LED-ului și este, de asemenea, principalul factor decisiv pentru caracteristicile electrice și optice ale LED-ului.

Tehnologia Epitaxie (EPI) se referă la creșterea unui material monocristal pe un substrat monocristal cu același aranjament de rețea ca și substratul. Principiul de bază: Pe un substrat încălzit la temperatura corespunzătoare (în principal substrat de safir, substrat de SiC și substrat de Si), substanțele gazoase indiu (In), galiu (Ga), aluminiu (Al), fosfor (P) sunt controlate la suprafață. a substratului pentru a crește un anumit film monocristal. În prezent, tehnologia de creștere a foii epitaxiale LED utilizează în principal metoda MOCVD (depunerea meteorologică chimică a metalelor organice).

Material de substrat epitaxial LED

1. LED roșu și galben:

GaP și GaAs sunt substraturi utilizate în mod obișnuit pentru LED-urile roșii și galbene. Substraturile GaP sunt utilizate în metoda epitaxiei în fază lichidă (LPE), rezultând o gamă largă de lungimi de undă de 565-700 nm. Pentru metoda epitaxiei în fază gazoasă (VPE), straturile epitaxiale GaAsP sunt crescute, producând lungimi de undă între 630-650 nm. Când se utilizează MOCVD, substraturile GaAs sunt de obicei folosite cu creșterea structurilor epitaxiale AlInGaP. 

Acest lucru ajută la depășirea dezavantajelor de absorbție a luminii ale substraturilor GaAs, deși introduce nepotrivirea rețelei, necesitând straturi tampon pentru creșterea structurilor InGaP și AlGaInP.

VeTek Semiconductor oferă susceptor LED EPI cu acoperire SiC, acoperire TaC:

Receptor VEECO LED EPI Acoperire TaC utilizată în susceptorul LED EPI

2. LED albastru și verde:

 ● Substrat GaN: GaN monocristal este substratul ideal pentru creșterea GaN, îmbunătățind calitatea cristalului, durata de viață a cipului, eficiența luminoasă și densitatea curentului. Cu toate acestea, pregătirea sa dificilă îi limitează aplicarea.

Substrat de safir: Safirul (Al2O3) este cel mai comun substrat pentru creșterea GaN, oferind o bună stabilitate chimică și fără absorbție de lumină vizibilă. Cu toate acestea, se confruntă cu provocări cu o conductivitate termică insuficientă în funcționarea cu curent ridicat a cipurilor de putere.

● Substrat SiC: SiC este un alt substrat folosit pentru creșterea GaN, ocupându-se pe locul al doilea în cota de piață. Oferă o bună stabilitate chimică, conductivitate electrică, conductivitate termică și nicio absorbție a luminii vizibile. Cu toate acestea, are prețuri mai mari și o calitate mai scăzută în comparație cu safirul. SiC nu este potrivit pentru LED-uri UV sub 380 nm. Conductivitatea electrică și termică excelentă a SiC elimină necesitatea lipirii flip-chip pentru disiparea căldurii în LED-urile GaN de tip putere pe substraturi de safir. Structura electrodului superior și inferior este eficientă pentru disiparea căldurii în dispozitivele LED GaN de tip putere.

Receptor LED Epitaxie Susceptor MOCVD cu acoperire TaC

3. Deep UV LED EPI:

În epitaxia LED cu ultraviolete profunde (DUV), LED UV adânc sau Epitaxia LED DUV, materialele chimice utilizate în mod obișnuit ca substrat includ nitrură de aluminiu (AlN), carbură de siliciu (SiC) și nitrură de galiu (GaN). Aceste materiale posedă o bună conductivitate termică, izolație electrică și calitate a cristalului, făcându-le potrivite pentru aplicații cu LED-uri DUV în medii de mare putere și temperatură ridicată. Alegerea materialului substratului depinde de factori precum cerințele de aplicare, procesele de fabricație și considerațiile de cost.

Susceptor LED UV acoperit cu SiC Susceptor LED UV acoperit cu TaC