Grafit poros acoperit cu carbură de tantal (TaC) pentru creșterea cristalelor de SiC

Grafitul poros acoperit cu carbură de tantalu VeTek Semiconductor este proiectat pentru a optimiza mediul de creștere a cristalelor de SiC prin patru funcții tehnice de bază:

● Filtrarea componentelor de vapori: Structura poroasă precisă acționează ca un filtru de înaltă puritate, asigurând că numai fazele de vapori dorite contribuie la formarea cristalelor, îmbunătățind astfel puritatea generală.

● Control de precizie a temperaturii: Acoperirea TaC îmbunătățește stabilitatea termică și conductivitatea, permițând ajustări mai precise ale gradienților de temperatură locală și un control mai bun asupra ratelor de creștere.

● Direcția fluxului ghidat: Designul structural facilitează un flux ghidat de substanțe, asigurând că materialele sunt livrate exact acolo unde este necesar pentru a promova o creștere uniformă.

● Control eficient al scurgerilor: Produsul nostru oferă proprietăți de etanșare excelente pentru a menține integritatea și stabilitatea atmosferei de creștere.

Proprietățile fizice ale acoperirii cu TaC

Comparație cu grafitul tradițional

Acoperire cu carbură de tantal (TaC) pe o secțiune transversală microscopică

Impactul aplicației: Minimizarea defectelor în procesul PVT

În procesul PVT (Physical Vapor Transport), înlocuirea grafitului convențional cu grafitul poros acoperit cu TaC de la VeTek abordează în mod direct defectele comune prezentate în diagramă:

● Elimitarea incluziunilor de carbon: Acționând ca o barieră pentru particulele solide, elimină eficient incluziunile de carbon și reduce microțevile comune în creuzetele tradiționale.

● Păstrarea integrității structurale: Previne formarea gropilor și a microtubulilor în timpul creșterii monocristalului de SiC cu ciclu lung.

● Randament și calitate mai mare: În comparație cu materialele tradiționale, componentele acoperite cu TaC asigură un mediu de creștere mai curat, rezultând o calitate semnificativ mai mare a cristalului și un randament de producție.