Gan Epitaxy Undertaker

Gan Epitaxy este o tehnologie avansată de fabricație semiconductoare folosită pentru a produce dispozitive electronice și optoelectronice de înaltă performanță. Conform diferitelor materiale de substrat,Gan Epitaxial Waferspoate fi împărțit în Gan, Gan, Gan, bazat pe SIC, Gan, bazat pe Sapphire, șiGan-on-si.

       Schema simplificată a procesului MOCVD pentru a genera epitaxie GAN

În producția de epitaxie GAN, substratul nu poate fi plasat pur și simplu undeva pentru depunerea epitaxială, deoarece implică diverși factori, cum ar fi direcția de curgere a gazelor, temperatura, presiunea, fixarea și căderea contaminanților. Prin urmare, este necesară o bază, iar apoi substratul este plasat pe disc, iar apoi depunerea epitaxială este efectuată pe substrat folosind tehnologia CVD. Această bază este susceptorul de epitaxie GAN.

Nepotrivirea zăbrelei dintre sic și gan este mică, deoarece conductivitatea termică a SIC este mult mai mare decât cea a GAN, SI și Sapphire. Prin urmare, indiferent de placa epitaxială a substratului, susceptorul de epitaxie GaN cu acoperire SIC poate îmbunătăți semnificativ caracteristicile termice ale dispozitivului și poate reduce temperatura de joncțiune a dispozitivului.

Nepotrivire de zăbrele și relații de nepotrivire termică a materialelor

Susceptorul Gan Epitaxy Fabricat de Vetek Semiconductor are următoarele caracteristici:

Material: Susceptorul este confecționat din grafit de înaltă puritate și un acoperire SIC, ceea ce îi permite să reziste la temperaturi ridicate și să ofere o stabilitate excelentă în timpul fabricării epitaxiale. Susceptorul de semiconductor poate obține o puritate de 99,9999% și conținut de impuritate mai puțin de 5 ppm.

Conductivitate termică: O performanță termică bună permite un control precis al temperaturii, iar o bună conductivitate termică a susceptitorului de epitaxie GAN asigură depunerea uniformă a epitaxiei GAN.

Stabilitatea chimică: Acoperirea SIC previne contaminarea și coroziunea, astfel încât susceptorul de epitaxie GaN poate rezista la mediul chimic dur al sistemului MOCVD și să asigure producția normală de epitaxie GAN.

Proiecta: Proiectarea structurală este realizată în funcție de nevoile clienților, cum ar fi susceptitorii în formă de butoi sau în formă de clătite. Diferite structuri sunt optimizate pentru diferite tehnologii de creștere epitaxială pentru a asigura un randament mai bun al waferului și uniformitatea stratului.

Oricare ar fi nevoia dvs., Vetek Semiconductor vă poate oferi cele mai bune produse și soluții. Aștept cu nerăbdare consultarea dvs. în orice moment.

Proprietăți fizice de bază aleAcoperire CVD SIC:

Cizme semiconductorGan Epitaxy Susceptor Magazine: