Susceptor acoperit cu TaC CVD

Definiția și compoziția produsului

Susceptorul acoperit cu VETEK CVD TaC este o componentă purtătoare de plachetă de ultimă generație, utilizată special pentru procesarea epitaxială a semiconductorilor de a treia generație (SiC, GaN, AlN). Acest produs combină avantajele fizice ale a două materiale de înaltă performanță:

Substrat de grafit de înaltă puritate: Utilizează un proces de turnare prin presare izostatică pentru a se asigura că substratul posedă rezistență structurală superioară, densitate ridicată și stabilitate la procesare termică.

Acoperire CVD TaC: Un strat protector dens, fără stres de Carbură de Tantal (TaC) este crescut pe suprafața de grafit prin tehnologia avansată de depunere în vapori chimici (CVD).

Avantaje tehnice de bază: Adaptabilitate extraordinară la mediu extrem

În procesul MOCVD, acoperirea TaC nu este doar un strat protector fizic, ci și miezul pentru a asigura repetabilitatea procesului:

Toleranță la temperaturi extrem de ridicate: TaC are un punct de topire de până la 3880°C, menținând o stabilitate excelentă a formei chiar și în procesele epitaxiale la temperaturi ultra-înalte peste 1600°C.

Rezistență excelentă la coroziune: În medii puternic reducătoare care conțin NH₃(Amoniac) sau H₂(Hidrogen), rata de coroziune a TaC este extrem de scăzută, prevenind eficient pierderea substratului și precipitarea impurităților.

Garanție de puritate ultra-înaltă: Puritatea acoperirii este de până la 99,9995%. Structura sa densă etanșează complet microporii de grafit, asigurând că filmul epitaxial atinge niveluri extrem de scăzute de impurități.

Distribuție precisă a câmpului termic: Tehnologia optimizată de control al acoperirii de la VETEK asigură controlul diferenței de temperatură a suprafeței susceptorului cu ±2°C, îmbunătățind semnificativ grosimea și consistența lungimii de undă a stratului epitaxial al plachetei.

Parametrii tehnici

Acoperire cu carbură de tantal (TaC) pe o secțiune transversală microscopică:

Câmpurile de aplicare de bază

Creștere epitaxială SiC (carbură de siliciu).: Acceptă producția de dispozitive de alimentare SiC de 6 inchi, 8 inchi și mai mari.

Dispozitive pe bază de GaN (nitrură de galiu).: Folosit în procesele MOCVD pentru LED-uri de înaltă luminozitate, dispozitive de alimentare HEMT și cipuri RF.

AlN (nitrură de aluminiu) și creșterea UVC: Oferă soluții purtătoare la temperaturi extreme (1400°C+) pentru materiale cu bandgap ultra-larg, cum ar fi LED-urile Deep UV.

Suport personalizat de cercetare: Se adaptează nevoilor de personalizare de precizie ale institutelor de cercetare pentru diferite piese neregulate și discuri cu mai multe orificii.

Modele compatibile și servicii de personalizare

VETEK are capacități precise de prelucrare mecanică și acoperire, adaptându-se perfect la echipamentele MOCVD mainstream:

AIXTRON: Suportă diferite discuri și baze de rotație planetară.

Veeco: Suportă K465i, Propel și alte serii de susceptori verticale.

AMEC și alții: Oferă piese de schimb complet compatibile sau soluții de upgrade.