Materiale și design

Selectarea combinației de substrat și acoperire potrivite este cheia pentru prevenirea defectării premature a componentelor, reducerea contaminării cu particule și maximizarea randamentului plăcilor. Oferim materiale personalizate și soluții de proiectare structurală în jurul ferestrei de proces specifice ale clientului (temperatura de funcționare, chimia gazelor reactive, ratele de rampă).

Capabilitățile noastre de bază de proiectare:

• Potrivire riguroasă a stresului CTE:Pentru cicluri termice rapide (>100 °C/min), potrivim cu precizie curbele de temperatură CTE ale substraturilor de grafit de înaltă puritate și acoperirilor CVD, reducând în mod fundamental riscul de delaminare a acoperirii și micro-fisurare.
• Selectarea stratului specific pentru scenariu de proces:Acoperire CVD SiC pentru epitaxie Si/SiC (Epi), MOCVD și medii de gravare cu plasmă; Acoperire CVD TaC pentru temperaturi mai ridicate și condiții puternic corozive (de exemplu, creștere PVT monocristal SiC).
• Rezistivitate controlabilă și optimizare a conductibilității termice:Control precis al rezistivității în vrac și al conductivității termice a substratului și a acoperirii pentru a îndeplini cerințele specifice de câmp electric și termic ale mandrinelor electrostatice RF, ESC sau zonelor de încălzire.
• Controlul sursei de contaminare și reducerea CoO:Straturile de depunere CVD de înaltă puritate etanșează dens grafitul poros, reducând în mod semnificativ eliminarea particulelor, difuzia de impurități metalice ultra-urme și riscul de degazare la temperatură înaltă.

Comparație tipică pentru selecția stratului de acoperire (Ghid pe scurt)

Caz real și beneficii pentru clienți (experiență):

Un important producător de epitaxie SiC (Epi):Componenta originală a folosit o acoperire CVD TaC nepotrivită, rezultând stres interfacial excesiv și micro-fisuri frecvente la temperatură ridicată. Am reluat simulările termodinamice și am trecut la aSubstrat de grafit de înaltă puritate de specialitate potrivit CTE + strat tampon + acoperire CVD SiCsoluţie. Rezultat: durata medie de viață a componentelor a crescut de la 200 de ore la 850 de ore; frecvența anuală de înlocuire per unealtă a scăzut de la 40 la 9 ori; Economiile cuprinzătoare ale costurilor O&M ale echipamentelor au depășit 650.000 RMB pe an.

Raport de analiză a purității GDMS pentru acoperiri cu TaC și SiC

FAQ

Începeți acum serviciul dvs. exclusiv