Eșantion de cartografiere

Pe baza eșantionului fizic furnizat de client (chiar dacă este o piesă uzată sau fracturată), oferim un serviciu cu spectru complet, de la inginerie inversă a structurii fizice până la caracterizarea fizico-chimică la nivel de material. Folosind echipamente de inspecție de înaltă precizie de calitate semiconductoare, cuantificăm cu precizie structuri geometrice 3D complexe, proprietățile interfeței acoperirii/substratului și parametrii fizici ai materialelor, asigurându-ne că produsul de inginerie inversă îndeplinește sau depășește standardele OEM în ceea ce privește potrivirea fizică, compatibilitatea cu procesele și durata de viață (înlocuire Form-Fit-Function).

Ce măsurăm (produse tehnice):

• Toleranțe dimensionale și geometrice:Folosind mașini de măsurare a coordonatelor (CMM) de înaltă precizie și scanere optice 3D, efectuăm modelare în nor de puncte la dimensiune completă și reconstrucție a structurilor complexe de cavități și a găurilor de montare/localizare, obținând o precizie la nivel de microni.
• Micromorfologia și planeitatea suprafeței:Folosind interferometre cu lumină albă și profilometre optice pentru a evalua rugozitatea suprafeței la scară nanometrică (Ra) și planeitatea unei suprafețe mari, îndeplinind cerințele de manipulare a plachetelor și de etanșare a camerei.
• Microfuncții Edge:Maparea cu mărire ridicată a razelor R de margine și a microprofilurilor de teșit pentru a optimiza morfologia de urcare a stratului de acoperire și pentru a evita concentrarea tensiunilor la colțurile ascuțite care pot cauza delaminare la temperatură ridicată.
• Analiza de potrivire termică și substrat de grafit:Evaluarea densității substratului de grafit de înaltă puritate, a mărimii granulelor și a coeficientului de dilatare termică (CTE) pentru a asigura potrivirea stresului termic între substrat și acoperirea CVD.
• Secțiunea transversală a acoperirii și calitatea lipirii interfeței:Analiză nedistructivă XRF și metalografică în secțiune transversală SEM pentru a măsura grosimea absolută, uniformitatea radială a acoperirii CVD și adâncimea de penetrare a interfeței.
• Structura de fază și analiza microcristalelor:Evaluarea XRD a purității în fază cubică (β-SiC) a CVD SiC; evaluarea calitativă a stoichiometriei chimice și a caracteristicilor structurii cristaline ale CVD TaC.

Caz real și beneficii pentru clienți (experiență):

Un client de componentă de gravare semiconductoare de 12 inchi:Furnizarea OEM întreruptă; era disponibilă o singură piesă uzată uzată. Prin modelarea inversă CMM + analiza secțiunii transversale a acoperirii SEM, am finalizat dezvoltarea piesei de înlocuire și testarea pe sculă în termen de 2 luni fără desene originale, obținând 100% potrivire la instalare. În cele din urmă, ciclul de achiziție a componentelor a fost redus de la termenul original de import de 6 luni la 2 luni, costul unitar de achiziție a scăzut cu 42%, iar acest model a fost furnizat în mod stabil pentru mai mult de 30 de loturi.

Acoperire cu carbură de siliciu (SiC) pe secțiunea transversală a acoperirii SEM

FAQ

Începeți acum serviciul dvs. exclusiv