Piesă semilună de 8 inch pentru reactorul LPE

În calitate de producător profesionist, Vetek Semiconductor ar dori să vă ofere o parte de înaltă calitate de 8 inci de jumătate de lună pentru reactorul LPE.

Vetek Semiconductor 8 inch Halfmoon Part for LPE Reactor este o componentă esențială utilizată în procesele de fabricație a semiconductorilor, în special în echipamentele epitaxiale SIC. Vetek Semiconductor folosește o tehnologie brevetată pentru a produce o parte de 8 inch Halfmoon pentru reactorul LPE, asigurându -se că au puritate excepțională, acoperire uniformă și longevitate remarcabilă. În plus, aceste părți prezintă o rezistență chimică remarcabilă și proprietăți de stabilitate termică.

Corpul principal al părții semilună de 8 inci pentru reactorul LPE este fabricat din grafit de înaltă puritate, care oferă o conductivitate termică excelentă și stabilitate mecanică. Grafitul de înaltă puritate este ales pentru conținutul scăzut de impurități, asigurând o contaminare minimă în timpul procesului de creștere epitaxială. Robustețea sa îi permite să reziste la condițiile solicitante din reactorul LPE.

Piesele semilună din grafit acoperit cu SiC VeTek Semiconductor sunt fabricate cu cea mai mare precizie și atenție la detalii. Puritatea ridicată a materialelor utilizate garantează performanțe superioare și fiabilitate în fabricarea semiconductoarelor. Acoperirea uniformă a acestor părți asigură o funcționare consecventă și eficientă pe toată durata de viață a acestora.

Unul dintre avantajele cheie ale pieselor noastre semilună din grafit acoperit cu SiC este rezistența lor chimică excelentă. Ele pot rezista naturii corozive a mediului de fabricare a semiconductorilor, asigurând durabilitate de lungă durată și minimizând nevoia de înlocuiri frecvente. Mai mult, stabilitatea lor termică excepțională le permite să-și mențină integritatea structurală și funcționalitatea în condiții de temperatură ridicată.

Piesele noastre semilună din grafit acoperit cu SiC au fost proiectate meticulos pentru a îndeplini cerințele stricte ale echipamentelor epitaxiale SiC. Prin performanța lor fiabilă, aceste piese contribuie la succesul proceselor de creștere epitaxiale, permițând depunerea de filme SiC de înaltă calitate.

CVD SIC SCOLING FILM CRISTAL STRUCTUR ：