Puritate rigidă de puritate ridicată

Creșterea epitaxială SIC este o tehnologie pentru creșterea filmelor subțiri de carbură de siliciu de înaltă calitate pe suprafața unui substrat. Acest proces este esențial pentru fabricarea dispozitivelor semiconductoare din carbură de siliciu de înaltă performanță, cum ar fi dispozitivele de alimentare cu carbură de siliciu și dispozitivele RF din carbură de siliciu. În acest proces, mediul de creștere, inclusiv temperatura, fluxul de gaze, presiunea și alți parametri, trebuie controlat strict pentru a asigura creșterea straturilor epitaxiale de carbură de siliciu de înaltă calitate, de înaltă puritate, cu proprietăți electrice bune. Piesele de grafit SiC Coatig Halfmoon este componenta principală a creșterii epitaxiale SiC, iar puritatea de înaltă puritate Felt, joacă în principal rolul conservării căldurii a pieselor de grafit SiC Coatig Halfmoon.

Pâslă rigidă de înaltă puritate are o conductivitate termică bună, care poate distribui uniform căldura sursei de încălzire în jurul părților din grafit Halfmoon de acoperire SiC și are un efect bun de conservare a căldurii. În timpul creșterii epitaxiale SiC, poate absorbi căldura și o poate elibera încet pentru a evita supraîncălzirea sau suprarăcirea locală, astfel încât diferența de temperatură de pe suprafața substratului de carbură de siliciu să fie controlată într-un interval foarte mic, iar uniformitatea temperaturii poate ajunge de obicei la ±1 - 2℃, care este foarte important pentru creșterea unui strat epitaxial de carbură de siliciu cu grosime uniformă și proprietăți electrice consistente.

Unele gaze corozive, cum ar fi silanul (SiH4) și propanul (C3H8), sunt utilizate ca gaze sursă de reacție în creșterea epitaxială a SiC. Pâsla rigidă de înaltă puritate are o toleranță bună la aceste gaze chimice și își poate menține integritatea structurală pe tot parcursul ciclului de creștere epitaxială (care poate dura ore sau chiar zeci de ore). Și puritatea pâslei rigide de înaltă puritate este peste 99,99% și nu va elibera substanțe care pot contamina stratul epitaxial în mediul de reacție, asigurând astfel puritatea ridicată a stratului epitaxial de carbură de siliciu.

Densitatea corespunzătoare poate asigura rezistența mecanică și conductivitatea termică a purității rigide de înaltă puritate. Asigurând în același timp conductivitatea termică, poate minimiza interferența factorilor externi asupra creșterii epitaxiale SIC.

În comparație cu materialele ceramice tradiționale și materialele metalice, pâsla rigidă de grafit de înaltă puritate are o conductivitate termică mai bună și o stabilitate chimică și este un excelent material component auxiliar pentru creșterea epitaxială SiC.

Ca un furnizor și fabrică rigidă de puritate rigidă din China, Vetek Semiconductor oferă produse extrem de personalizate, indiferent dacă este vorba de materiale sau de dimensiunea produsului, poate fi adaptat pentru dvs. și soluții de produse pentru industria semiconductorilor. Așteptăm sincer să devenim partenerul dvs. pe termen lung în China.

Vetek semiconductor de înaltă puritate de înaltă puritate, magazine de producție rigidă de puriuni: