Ştiri

Într -o epocă a dezvoltării tehnologice rapide, imprimarea 3D, ca reprezentant important al tehnologiei avansate de fabricație, schimbă treptat fața producției tradiționale. Odată cu maturitatea continuă a tehnologiei și reducerea costurilor, tehnologia de imprimare 3D a arătat perspective largi de aplicații în multe domenii precum aerospațial, fabricarea automobilelor, echipamente medicale și design arhitectural și a promovat inovația și dezvoltarea acestor industrii.

Materialele monocristal nu pot satisface nevoile producției în creștere a diferitelor dispozitive semiconductoare. La sfârșitul anului 1959, a fost dezvoltat un strat subțire de tehnologie de creștere a materialului monocristal - creșterea epitaxială.

Carbura de siliciu este unul dintre materialele ideale pentru realizarea dispozitivelor de înaltă temperatură, de înaltă frecvență, de înaltă putere și de înaltă tensiune. Pentru a îmbunătăți eficiența producției și a reduce costurile, pregătirea substraturilor de carbură de siliciu de dimensiuni mari este o direcție importantă de dezvoltare.

Potrivit știrilor de peste mări, două surse au dezvăluit pe 24 iunie că Bytedance lucrează cu compania de design de cipuri din SUA Broadcom pentru a dezvolta un procesor de calcul avansat de inteligență artificială (AI), care va ajuta la o ofertă adecvată de cipuri de înaltă calitate, pe fondul tensiunilor dintre China și Statele Unite.

În calitate de producător de frunte în industria SiC, dinamica asociată Sanan Optoelectronics a primit o atenție pe scară largă în industrie. Recent, Sanan Optoelectronics a dezvăluit o serie de cele mai recente evoluții, care implică transformarea de 8 inchi, producție de fabrică de substrat nou, înființarea de noi companii, subvenții guvernamentale și alte aspecte.

În creșterea monocristalelor de SiC și AlN folosind metoda transportului fizic al vaporilor (PVT), componentele cruciale precum creuzetul, suportul pentru semințe și inelul de ghidare joacă un rol vital. După cum este descris în Figura 2 [1], în timpul procesului PVT, cristalul de sămânță este poziționat în regiunea cu temperatură mai joasă, în timp ce materia primă SiC este expusă la temperaturi mai ridicate (peste 2400 ℃).