Epi Susceptor acoperit cu carbură de siliciu

Epitaxia semiconductoare se referă la creșterea unui film subțire cu o structură specifică de rețea pe suprafața unui material substrat prin metode precum depunerea în fază gazoasă, fază lichidă sau fascicul molecular, astfel încât stratul de film subțire nou crescut (stratul epitaxial) are aceeași structură și orientare a rețelei sau similare ca substratul. 

Tehnologia epitaxiei este crucială în fabricarea semiconductorilor, în special în prepararea filmelor subțiri de înaltă calitate, cum ar fi straturi de un singur cristal, heterostructuri și structuri cuantice utilizate pentru fabricarea dispozitivelor de înaltă performanță.

Susceptorul Epi acoperit cu carbură de siliciu este o componentă cheie utilizată pentru a susține substratul în echipamentele de creștere epitaxială și este utilizat pe scară largă în epitaxia cu siliciu. Calitatea și performanța piedestalului epitaxial afectează în mod direct calitatea de creștere a stratului epitaxial și joacă un rol vital în performanța finală a dispozitivelor semiconductoare.

VeTek Semiconductora acoperit un strat de acoperire SIC pe suprafața grafitului SGL prin metoda CVD și a obținut un susceptor epi acoperit cu SiC cu proprietăți precum rezistența la temperatură ridicată, rezistența la oxidare, rezistența la coroziune și uniformitatea termică.

Într -un reactor tipic de butoi, susceptorul EPI acoperit cu carbură de siliciu are o structură de butoi. Partea inferioară a susceptorului EPI acoperit cu sic este conectat la arborele rotativ. În timpul procesului de creștere epitaxială, menține alternarea în sensul acelor de ceasornic și în sensul acelor de ceasornic. Gazul de reacție intră în camera de reacție prin duză, astfel încât debitul de gaz formează o distribuție destul de uniformă în camera de reacție și formează în sfârșit o creștere uniformă a stratului epitaxial.

Relația dintre modificarea masei grafitului acoperit cu SiC și timpul de oxidare

Rezultatele studiilor publicate arată că la 1400 ℃ și 1600 ℃, masa grafitului acoperit SIC crește foarte puțin. Adică, grafitul acoperit SIC are o capacitate puternică antioxidantă. Prin urmare, susceptorul EPI acoperit SIC poate funcționa mult timp în majoritatea cuptoarelor epitaxiale. Dacă aveți mai multe cerințe sau nevoi personalizate, vă rugăm să ne contactați. Ne angajăm să oferim soluții de susceptori Epi acoperite cu SiC de cea mai bună calitate.

Proprietățile fizice de bază ale acoperirii CVD SiC

VeTek SemiconductorMagazine de susceptori Epi acoperite cu carbură de siliciu