Creuzet pentru siliciu monocristalin

În metoda CZ (Czochralski), un singur cristal este cultivat prin aducerea unei semințe monocristaline în contact cu siliconul policristalin topit. Semința este trasă treptat în sus, în timp ce este rotită lent. În acest proces, se utilizează un număr semnificativ de piese de grafit, ceea ce face ca acesta să fie metoda care utilizează cea mai mare cantitate de componente de grafit în fabricarea semiconductorilor de siliciu.

Imaginea din dreapta oferă o reprezentare schematică a unui cuptor de fabricație cu un singur cristal de siliciu bazat pe metoda CZ.

Creuzetul Vetek Semiconductor pentru siliciu monocristalin oferă un mediu stabil și controlat crucial pentru formarea precisă a cristalelor semiconductoare. Acestea sunt instrumentale în creșterea lingourilor de siliciu monocristalin folosind tehnici avansate, cum ar fi procesul Czochralski și metodele din zona float, care sunt vitale pentru producerea de materiale de înaltă calitate pentru dispozitive electronice.

Proiectate pentru o stabilitate termică remarcabilă, rezistență la coroziune chimică și o expansiune termică minimă, aceste creuzele asigură durabilitatea și robustetea. Acestea sunt concepute pentru a rezista la medii chimice dure, fără a compromite integritatea sau performanța structurală, extinzând astfel durata de viață a creuzetului și menținând performanțe constante în ceea ce privește utilizarea prelungită.

Compoziția unică a creuzelor de semiconductor Vetek pentru siliciu monocristalin le permite să suporte condițiile extreme ale procesării la temperaturi ridicate. Acest lucru garantează o stabilitate și puritate termică excepționale, care sunt esențiale pentru procesarea semiconductorului. Compoziția facilitează, de asemenea, transferul de căldură eficient, promovând cristalizarea uniformă și minimizarea gradienților termici în topirea siliciului.

✔ Protecția materialelor de bază: TheAcoperire CVD SICAcționează ca un strat de protecție în timpul procesului epitaxial, protejând eficient materialul de bază de eroziune și daune cauzate de mediul extern. Această măsură de protecție extinde foarte mult durata de viață a echipamentului.

✔ Conductivitate termică excelentă: Acoperirea noastră CVD SIC are o conductivitate termică remarcabilă, transferând eficient căldura de la materialul de bază la suprafața de acoperire. Acest lucru îmbunătățește eficiența managementului termic în timpul epitaxiei, asigurând temperaturi optime de funcționare pentru echipament.

✔ Calitatea filmului îmbunătățită: Acoperirea CVD SIC oferă o suprafață plană și uniformă, creând o bază ideală pentru creșterea filmului. Reduce defectele rezultate din nepotrivirea zăbrelei, îmbunătățește cristalinitatea și calitatea filmului epitaxial și, în final, își îmbunătățește performanța și fiabilitatea.