CVD SIC Susceptor de clătite

Semiconductor Susceptorul de clătite CVD SIC este fabricat folosind cea mai recentă tehnologie de depunere de vapori chimici (CVD) pentru a asigura o durabilitate excelentă și o adaptabilitate extremă a temperaturii. Următoarele sunt principalele sale proprietăți fizice:

● Stabilitatea termică: Stabilitatea termică ridicată a BCV SIC asigură performanțe stabile în condiții de temperatură ridicată.

● Coeficient de expansiune termică scăzut: Materialul are un coeficient de expansiune termică extrem de scăzut, ceea ce minimizează deformarea și deformarea cauzată de schimbările de temperatură.

● Rezistență la coroziune chimică: Rezistența chimică excelentă îi permite să mențină performanțe ridicate într -o varietate de medii dure.

Suport precis și transfer de căldură optimizat

SiC Coated, bazat pe susceptator de clătite Veteksemi, este conceput pentru a găzdui napolitane cu semiconductor și pentru a oferi sprijin excelent în timpul depunerii epitaxiale. Susceptorul de clătite SIC este proiectat folosind tehnologie avansată de simulare de calcul pentru a minimiza deformarea și deformarea în diferite condiții de temperatură și presiune. Coeficientul său tipic de expansiune termică este de aproximativ 4,0 × 10^-6/° C, ceea ce înseamnă că stabilitatea sa dimensională este semnificativ mai bună decât materialele tradiționale din mediile la temperaturi ridicate, asigurând astfel consistența grosimii plafonului (de obicei 200 mm până la 300 mm).

În plus, susceptorul de clătite CVD excelează în transferul de căldură, cu o conductivitate termică de până la 120 W/M · K. Această conductivitate termică ridicată poate efectua rapid și eficient căldura, îmbunătățește uniformitatea temperaturii în cadrul cuptorului, poate asigura o distribuție uniformă a căldurii în timpul depunerii epitaxiale și poate reduce defectele de depunere cauzate de căldură inegală. Performanța optimizată de transfer de căldură este esențială pentru îmbunătățirea calității depunerii, ceea ce poate reduce eficient fluctuațiile procesului și poate îmbunătăți randamentul.

Prin aceste optimizări de proiectare și performanță, susceptatorul de clătite CVD SIC Vetek Semiconductor oferă o bază solidă pentru fabricarea semiconductorilor, asigurând fiabilitatea și consecvența în condiții dure de procesare și îndeplinirea cerințelor stricte ale industriei semiconductorilor moderni pentru o precizie și o calitate înaltă.

CVD SIC Structura de cristal de film

Proprietăți fizice de bază ale acoperirii CVD SIC

Proprietăți fizice de bază ale acoperirii CVD SIC
Proprietate	Valoare tipică
Structură de cristal	Policristalin de fază FCC β, în principal (111) orientat orientat
Densitate	3.21 g/cm³
Duritate	2500 Vickers Duritate （500G LOAD）
Dimensiunea cerealelor	2 ~ 10mm
Puritatea chimică	99.99995%
Capacitate de căldură	640 J · kg-1· K.-1
Temperatura de sublimare	2700 ℃
Rezistență la flexie	415 MPA RT 4 puncte
Modulul lui Young	430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivitate termică	300W · m-1· K.-1
Extinderea termică (CTE)	4,5 × 10-6K-1