Inel de ghidare cu trei petale acoperite cu CVD TAC

Materialul de substrat cu un singur cristal din carbură de siliciu este un fel de material cristal, care aparține materialului semiconductor cu bandă largă. Are avantajele rezistenței de înaltă tensiune, rezistenței la temperatură ridicată, frecvenței ridicate, pierderi scăzute, etc. Este un material de bază pentru prepararea dispozitivelor electronice de putere de mare putere și a dispozitivelor de frecvență radio cu microunde. În prezent, principalele metode pentru creșterea cristalelor SIC sunt transportul de vapori fizici (metoda PVT), depunerea de vapori chimici la temperaturi ridicate (metoda HTCVD), metoda fazei lichide etc.

Metoda de transport fizic de vapori (PVT) este o tehnică bine stabilită extrem de potrivită pentru producția industrială la scară largă. În acest proces, un cristal de semințe SIC este poziționat în partea de sus a creuzetului, în timp ce pulberea sic, care servește ca materie primă, este plasată pe fundul creuzetului. În condițiile de temperatură ridicată și presiune scăzută într -un mediu închis, pulberea SIC se sublimează. Condusă de gradientul de temperatură și diferența de concentrare, speciile sublimate se deplasează în sus spre regiunea din apropierea cristalului de semințe. Odată ce a ajuns la o stare suprasaturată, are loc recristalizarea, permițând un control precis asupra mărimii și tipului de cristal specific al cristalelor SIC cultivate.

CVD TAC acoperit cu trei - Ghidul de petal inel servește multiple funcții cruciale. În primul rând, îmbunătățește mecanica fluidelor prin ghidarea fluxului de gaz, asigurându -se că zona de creștere a cristalului este expusă la o atmosferă uniformă. În plus, disipează efectiv căldura în timpul procesului de creștere a cristalului SIC. Prin menținerea gradientului de temperatură adecvat, optimizează condițiile de creștere pentru cristalele SIC și atenuează riscul de defecte de cristal cauzate de distribuția neuniformă a temperaturii.