CVD TAC Carrier

Vetek Semiconductor este un lider profesionist China China CVD TAC Coating Carrier, Epitaxy Susceptor,Suport de grafit acoperit cu TACproducător.

Prin cercetarea continuă a procesului și a inovării materiale, purtătorul de acoperire CVD TAC Vetek Semiconductor joacă un rol foarte critic în procesul epitaxial, incluzând în principal următoarele aspecte:

Protecția substratului: Purtătorul de acoperire CVD TAC oferă o stabilitate chimică excelentă și stabilitate termică, împiedicând efectiv temperatura ridicată și gazele corozive să erodeze substratul și peretele interior al reactorului, asigurând puritatea și stabilitatea mediului de proces.

Uniformitate termică: Combinat cu conductivitatea termică ridicată a purtătorului de acoperire TAC CVD, asigură uniformitatea distribuției temperaturii în reactor, optimizează calitatea cristalului și uniformitatea grosimii stratului epitaxial și îmbunătățește consistența performanței produsului final.

Controlul contaminării particulelor: Deoarece transportatorii acoperiți cu CVD TAC au rate de generare a particulelor extrem de scăzute, proprietățile netede ale suprafeței reduc semnificativ riscul de contaminare a particulelor, îmbunătățind astfel puritatea și randamentul în timpul creșterii epitaxiale.

Durată de viață extinsă: Combinată cu rezistența excelentă la uzură și rezistența la coroziune a purtătorului de acoperire TAC CVD, extinde semnificativ durata de viață a componentelor camerei de reacție, reduce timpul de oprire a echipamentelor și costurile de întreținere și îmbunătățește eficiența producției.

Combinând caracteristicile de mai sus, purtătorul de acoperire CVD TAC de la Vetek Semiconductor nu numai că îmbunătățește fiabilitatea procesului și calitatea produsului în procesul de creștere epitaxială, dar oferă și o soluție rentabilă pentru fabricarea semiconductorilor.

Acoperirea carburii tantalum pe o secțiune transversală microscopică:

Proprietăți fizice ale transportatorului de acoperire CVD TAC:

Vetek Semiconductor CVD SIC Magazin de producție de acoperire: