Suport orizontal pentru napolitane SiC

VeTek SemiconductorOrizontală SIC WAFER/Barca are un punct de topire extrem de ridicat (aproximativ 2700 ° C), ceea ce permiteOrizontală SIC WAFER/Barcă să funcționeze stabil în medii cu temperaturi ridicate, fără deformare sau degradare. Această caracteristică este deosebit de importantă în procesul de fabricație a semiconductorilor, în special în procese precum recoacerea la temperaturi ridicate sau depunerea de vapori chimici (CVD).

TheSuport orizontal pentru napolitane SiC/Boat joacă în mod specific următoarele roluri în procesul de transport a transportatorilor de napolitane:

Purtare și suport pentru napolitană de silicon: Barca orizontală SiC Wafer Boat este utilizată în principal pentru a transporta și susține plachete de siliciu în timpul producției de semiconductori. Poate aranja ferm mai multe plachete de siliciu împreună pentru a se asigura că rămân într-o poziție bună și stabilitatea pe tot parcursul procesului de procesare.

Încălzire și răcire uniformă: Datorită conductivității termice ridicate a SiC, Wafer Boat poate distribui eficient căldura în mod uniform tuturor napolitanelor de siliciu. Acest lucru ajută la obținerea de încălzire sau răcire uniformă a plachetelor de siliciu în timpul procesării la temperatură înaltă, asigurând consistența și fiabilitatea procesului de prelucrare.

Preveni contaminarea: Stabilitatea chimică a SiC îi permite să funcționeze bine în medii cu temperaturi ridicate și gaze corozive, reducând astfel expunerea plachetelor de siliciu la posibili contaminanți sau reactanți, asigurând puritatea și calitatea plachetelor de siliciu.

De fapt, barca orizontală SIC Wafer poate juca rolul de mai sus datorită caracteristicilor sale unice ale produsului:

Stabilitatea chimică excelentă: Materialul SiC are o rezistență excelentă la coroziune la o varietate de medii chimice. În procesul de procesare a gazelor sau lichidelor corozive, SiC Wafer Boat poate rezista eficient coroziunii chimice și poate proteja napolitanele de siliciu de contaminare sau deteriorare.

Conductivitate termică ridicată: Conductivitatea termică ridicată a SIC ajută la distribuirea uniformă a căldurii în procesul de purtător și la reducerea acumulării de căldură. Acest lucru poate îmbunătăți precizia controlului temperaturii în timpul procesării preciziei și poate asigura încălzirea uniformă sau răcirea napolitanei de siliciu.

Coeficient de expansiune termică scăzut: Coeficientul de expansiune termică scăzut al materialului SIC înseamnă că schimbarea dimensională a bărcii de placă SIC este foarte mică în timpul schimbărilor de temperatură. Acest lucru ajută la menținerea stabilității dimensionale în timpul procesării la temperaturi ridicate și previne deformarea sau deplasarea pozițională a napolitanelor de siliciu cauzate de expansiunea termică.

Proprietățile fizice de bază ale suportului orizontal de napolitană SiC:

Comparați magazinul de producție semiconductor:

Prezentare generală a lanțului industrial al epitaxiei Chip Epitaxy: