Știri

Problemele din procesul de gravare

GravurăTehnologia este unul dintre etapele cheie în procesul de fabricație a semiconductorilor, care este utilizat pentru a elimina materiale specifice din placă pentru a forma un model de circuit. Cu toate acestea, în timpul procesului de gravare uscată, inginerii întâmpină adesea probleme, cum ar fi efectul de încărcare, efectul de micro-canelură și efectul de încărcare, care afectează în mod direct calitatea și performanța produsului final.


Etching technology

 Effect de încărcare


Efectul de încărcare se referă la fenomenul că atunci când zona de gravare crește sau adâncimea de gravare crește în timpul gravurii uscate, rata de gravură scade sau gravura este inegală din cauza furnizării insuficiente de plasmă reactivă. Acest efect este de obicei legat de caracteristicile sistemului de gravare, cum ar fi densitatea plasmatică și uniformitatea, gradul de vid etc., și este prezent pe scară largă în diverse gravuri de ioni reactivi.


Loading Effect in Dry Etching Process


 •Îmbunătățiți densitatea și uniformitatea plasmei: Prin optimizarea designului sursei de plasmă, cum ar fi utilizarea unei puteri RF mai eficiente sau a tehnologiei de pulverizare cu magnetron, poate fi generată o densitate mai mare și o plasmă mai uniform distribuită.


 •Ajustați compoziția gazului reactiv: Adăugarea unei cantități adecvate de gaz auxiliar la gazul reactiv poate îmbunătăți uniformitatea plasmei și poate promova descărcarea eficientă a produselor secundare de gravare.


 •Optimizați sistemul de vid: Îmbunătățirea vitezei de pompare și a eficienței pompei de vid poate contribui la reducerea timpului de ședere a produselor secundare de gravare din cameră, reducând astfel efectul de încărcare.


 •Proiectați un aspect rezonabil de fotolitografie: Atunci când proiectați aspectul fotolitografiei, densitatea modelului trebuie luată în considerare pentru a evita aranjarea excesivă în zonele locale pentru a reduce impactul efectului de încărcare.


Reflection of Hysteresis Effect


 Ⅱ Efect de micro-tranching


Efectul de micro-tranșare se referă la fenomenul care în timpul procesului de gravare, datorită particulelor cu energie mare care lovesc suprafața de gravare într-un unghi înclinat, rata de gravare în apropierea peretelui lateral este mai mare decât cea din zona centrală, rezultând non-non -Camuri verticale pe peretele lateral. Acest fenomen este strâns legat de unghiul particulelor incidente și de panta peretelui lateral.


Trenching Effect in Etching Process


 •Creșterea puterii RF: Creșterea corectă a puterii RF poate crește energia particulelor incidente, permițându-le să bombardeze suprafața țintă mai vertical, reducând astfel rata de gravare       diferența peretelui lateral.


 •Alegeți materialul de mască de gravare potrivit: Unele materiale pot rezista mai bine la efectul de încărcare și pot reduce efectul de micro-tranșare agravat de acumularea de sarcină negativă asupra măștii.


 •Optimizați condițiile de gravură: Prin reglarea fină a parametrilor, cum ar fi temperatura și presiunea în timpul procesului de gravare, selectivitatea și uniformitatea gravurii pot fi controlate eficient.


Optimization of Etching Process

 Effect de încărcare


Efectul de încărcare este cauzat de proprietățile izolante ale măștii de gravură. Când electronii din plasmă nu pot scăpa rapid, ei se vor aduna pe suprafața măștii pentru a forma un câmp electric local, interferează cu calea particulelor incidente și va afecta anisotropia gravurii, mai ales atunci când gravură structuri fine.


Charging Effect in Etching Process


 • Selectați materiale adecvate pentru masca de gravare: Unele materiale tratate special sau straturi de masca conductoare pot reduce eficient agregarea electronilor.


 •Implementați gravarea intermitentă: Prin întreruperea periodică a procesului de gravare și oferind electronilor suficient timp pentru a scăpa, efectul de încărcare poate fi redus semnificativ.


 •Ajustați mediul de gravare: Modificarea compoziției gazelor, a presiunii și a altor condiții în mediul de gravare poate contribui la îmbunătățirea stabilității plasmei și la reducerea apariției efectului de încărcare.


Adjustment of Etching Process Environment


Știri similare
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept