Pulbere de carbură de siliciu ultra pur pentru creșterea cristalului

În calitate de producător profesionist, Vetek Semiconductor ar dori să vă ofere pulbere de carbură de siliciu ultra pur de înaltă calitate pentru creșterea cristalului.

Vetek Semiconductor este specializat în furnizarea de pulbere de carbură de siliciu ultra pur pentru creșterea cristalului cu diferite niveluri de puritate. Contactați -ne astăzi pentru a afla mai multe și pentru a primi o ofertă. Creșteți-vă cercetarea și dezvoltarea semiconductorilor cu produsele de înaltă calitate Vetek Semiconductor.

Vetek Semiconductor Ultra Pure Silicon Pulbere pentru creșterea cristalului este preparată folosind o metodă de reacție în fază solidă la temperatură ridicată, folosind pulbere de siliciu de înaltă puritate și pulbere de carbon de înaltă puritate ca materii prime. Cu o puritate de până la 99,999% în greutate și niveluri de impuritate extrem de scăzute de azot, bor, aluminiu și alți contaminanți, este conceput special pentru a îmbunătăți proprietățile semi-izolatoare ale carburii de siliciu de înaltă puritate.

Puritatea pulberii noastre de carbură de siliciu de calitate semiconductor ajunge la 99,999%impresionant, ceea ce o face o materie primă excelentă pentru producerea de cristale unice din carbură de siliciu. Ceea ce diferențiază produsul nostru de ceilalți pe piață este caracteristica sa remarcabilă de creștere a cristalului de mare viteză. Având în vedere că ratele de creștere a cristalului atingând 0,2-0,3 mm/h, reduce semnificativ timpul de creștere a cristalului și scade costurile generale de producție.

Calitatea pulberii de carbură de siliciu este crucială pentru obținerea unui randament ridicat de creștere a cristalului și necesită procese de fabricație precise. Tehnologia noastră implică separarea termică în diferite etape pentru a elimina impuritățile de proprietăți variate, ceea ce duce la pulbere de carbură de siliciu semi-izolat de înaltă puritate cu conținut scăzut de azot. Prin procesarea în continuare a pulberii în granule și utilizarea tehnicilor de ciclism termic, îndeplinim cerințele de creștere dimensionale ale cristalelor de carbură de siliciu. Această tehnologie își propune să îmbunătățească capacitățile interne avansate de cercetare semiconductor, să îmbunătățească autosuficiența materialelor, să abordeze monopolurile internaționale și să reducă costurile de fabricație în industria internă a semiconductorilor din carbură de siliciu, crescând în cele din urmă competitivitatea sa globală.

Comparați magazinul de producție semiconductor ：