Selectarea corectă a SiC CVD, acoperire TaC sau SiC solid determină direct nivelurile de particule și durata de viață a componentelor pe liniile de epitaxie/gravare. Acest articol oferă limite clare de selecție în funcție de temperatură, atmosferă și proces, combinate cu soluții majore de înlocuire a echipamentelor și valori cheie, pentru a vă ajuta să luați decizii rapide și să reduceți riscul.
Folosim cookie-uri pentru a vă oferi o experiență de navigare mai bună, pentru a analiza traficul site-ului și pentru a personaliza conținutul. Prin utilizarea acestui site, sunteți de acord cu utilizarea cookie-urilor. Politica de confidențialitate