Pudră de carbură de siliciu de înaltă puritate (SiC).

Caracteristici cheie
• Puritatea poate ajunge până la 99,9999% - adică 6N

• Impuritățile metalice sunt menținute la un nivel scăzut

• Datele de testare GDMS sunt disponibile la cerere

• Comportamentul sublimării rămâne constant de la lot la lot

• Risc mai mic de contaminare în timpul procesării

• Distribuția dimensiunii particulelor este controlată

• De asemenea, puteți solicita dimensiuni personalizate ale particulelor

• Controlul calității urmează standardele de calitate pentru semiconductori

Interval de dimensiuni ale particulelor:

Puritatea pulberii: 

Specificatii tehnice:

Aplicații

• SiC Single Crystal Growth (PVT)

• Substraturi SiC conductoare și semiizolante

• Materiale semiconductoare

• Ceramica avansată

• Cercetare și dezvoltare

De ce să alegeți VeTek Semiconductor?

• Tehnologie avansată de purificare

• Controlul calității semiconductorilor

• Opțiuni de dimensiunea particulelor personalizate

• Aprovizionare stabilă și fiabilă

• Suport tehnic pentru aplicații de creștere a cristalelor