Tehnologia MOCVD

VeTek Semiconductor are avantaje și experiență în piesele de schimb MOCVD Technology.

MOCVD, denumirea completă a Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (metal-organic Chemical Vapor Deposition), poate fi numită și epitaxie metal-organică în fază de vapori. Compușii organometalici sunt o clasă de compuși cu legături metal-carbon. Acești compuși conțin cel puțin o legătură chimică între un metal și un atom de carbon. Compușii metalo-organici sunt adesea utilizați ca precursori și pot forma pelicule subțiri sau nanostructuri pe substrat prin diferite tehnici de depunere.

Depunerea de vapori chimici metalo-organici (tehnologia MOCVD) este o tehnologie de creștere epitaxială comună, tehnologia MOCVD este utilizată pe scară largă la fabricarea laserelor și led-urilor semiconductoare. În special atunci când se produc led-uri, MOCVD este o tehnologie cheie pentru producția de nitrură de galiu (GaN) și materiale aferente.

Există două forme principale de epitaxie: Epitaxie în fază lichidă (LPE) și Epitaxie în fază de vapori (VPE). Epitaxia în fază gazoasă poate fi împărțită în continuare în depunere de vapori metal-organic (MOCVD) și epitaxia cu fascicul molecular (MBE).

Producătorii străini de echipamente sunt reprezentați în principal de Aixtron și Veeco. Sistemul MOCVD este unul dintre echipamentele cheie pentru fabricarea laserelor, led-urilor, componentelor fotoelectrice, energiei electrice, dispozitivelor RF și celulelor solare.

Principalele caracteristici ale pieselor de schimb din tehnologia MOCVD produse de compania noastră:

1) Densitate ridicată și încapsulare completă: baza de grafit în ansamblu se află într-o temperatură ridicată și mediu de lucru coroziv, suprafața trebuie să fie complet înfășurată, iar acoperirea trebuie să aibă o densificare bună pentru a juca un rol protector bun.

2) Planeitate bună a suprafeței: Deoarece baza de grafit utilizată pentru creșterea unui singur cristal necesită o planeitate foarte mare a suprafeței, planeitatea inițială a bazei trebuie menținută după pregătirea stratului de acoperire, adică stratul de acoperire trebuie să fie uniform.

3) Rezistență bună de lipire: reduceți diferența de coeficient de dilatare termică dintre baza de grafit și materialul de acoperire, ceea ce poate îmbunătăți în mod eficient rezistența de aderență între cele două, iar stratul nu este ușor de spart după ce a experimentat căldură la temperaturi înalte și joase. ciclu.

4) Conductivitate termică ridicată: creșterea așchiilor de înaltă calitate necesită ca baza de grafit să furnizeze căldură rapidă și uniformă, astfel încât materialul de acoperire ar trebui să aibă o conductivitate termică ridicată.

5) Punct de topire ridicat, rezistență la oxidare la temperatură ridicată, rezistență la coroziune: acoperirea ar trebui să poată funcționa stabil în medii de lucru la temperaturi ridicate și corosive.

Așezați substrat de 4 inci
Epitaxie albastru-verde pentru creșterea LED-urilor
Găzduit în camera de reacție
Contact direct cu napolitana Așezați substrat de 4 inci
Folosit pentru a crește filmul epitaxial UV LED
Găzduit în camera de reacție
Contact direct cu napolitana Mașină Veeco K868/Veeco K700
Epitaxie LED alb/Epitaxie LED albastru-verde Folosit în echipamentele VEECO
Pentru Epitaxie MOCVD
Susceptor de acoperire SiC Echipamente Aixtron TS
Epitaxie ultravioletă profundă
Substrat de 2 inchi Echipamente Veeco
Epitaxie LED roșu-galben
Substrat Wafer de 4 inci Susceptor acoperit cu TaC
(Receptor SiC Epi/ UV LED) Susceptor acoperit cu SiC
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD Susceptor)