Transportator de wafer acoperit cu sic

Fabricarea cipurilor este inseparabilă de napolitane. În procesul de pregătire a plafonului, există două legături de bază: una este pregătirea substratului, iar cealaltă este implementarea procesului epitaxial. Substratul poate fi introdus direct în procesul de fabricație a wafer -ului pentru a produce dispozitive cu semiconductor sau îmbunătățit în continuare prin intermediulproces epitaxial. 

Epitaxia este creșterea unui nou strat de monocristal pe un substrat monocristal care a fost procesat fin (tăiere, șlefuire, lustruire etc.). Deoarece stratul monocristal nou crescut se va extinde în funcție de faza cristalină a substratului, se numește strat epitaxial. Când stratul epitaxial crește pe substrat, întregul se numește napolitană epitaxială. Introducerea tehnologiei epitaxiale rezolvă în mod inteligent multe defecte ale substraturilor individuale.

În cuptorul de creștere epitaxială, substratul nu poate fi plasat la întâmplare și unTransportator de wafereste necesar să se așeze substratul pe suportul pentru plachetă înainte ca depunerea epitaxială să poată fi efectuată pe substrat. Acest suport pentru napolitană este suportul pentru napolitană acoperit cu SiC.

Vedere în secțiune transversală a reactorului EPI

Un de înaltă calitateAcoperire SiCse aplică pe suprafața grafitului SGL folosind tehnologia CVD:

Cu ajutorul acoperirii SiC, multe proprietăți aleSuport de placă acoperit cu sicau fost îmbunătățite semnificativ:

● Proprietăți antioxidante: Acoperirea SiC are o rezistență bună la oxidare și poate proteja matricea de grafit de oxidare la temperaturi ridicate și poate prelungi durata de viață a acesteia.

● Rezistență la temperatură ridicată: Punctul de topire al acoperirii SIC este foarte mare (aproximativ 2700 ° C). După adăugarea acoperirii SIC la matricea de grafit, poate rezista la temperaturi mai ridicate, ceea ce este benefic pentru aplicarea în mediul cuptorului de creștere epitaxială.

● Rezistența la coroziune: Grafitul este predispus la coroziune chimică în anumite medii acide sau alcaline, în timp ce stratul de SiC are o rezistență bună la coroziune acidă și alcalină, astfel încât poate fi utilizat în cuptoare de creștere epitaxiale pentru o lungă perioadă de timp.

●  Rezistența la uzură: Materialul SiC are duritate ridicată. După ce grafitul este acoperit cu SiC, acesta nu este ușor deteriorat atunci când este utilizat într-un cuptor de creștere epitaxială, reducând rata de uzură a materialului.

Vetek Semiconductor folosește cele mai bune materiale și cea mai avansată tehnologie de procesare pentru a oferi clienților produse de transport de wafer acoperite cu industrie SIC. Echipa tehnică puternică a Vetek Semiconductor este întotdeauna angajată să adapteze cele mai potrivite produse și cele mai bune soluții de sistem pentru clienți.

DATE SEM ALE FILMULUI CVD SIC

SemiconductorMagazine de transport de wafer acoperite cu sic