TAC Acoperire Planetar Susceptor

Pe tărâmul fabricării semiconductorilor, susceptorul planetar de acoperire TAC joacă un rol crucial. Este utilizat pe scară largă în creșterea straturilor epitaxiale de carbură de siliciu (SIC) în echipamente precum sistemul AIXTRON G5. Mai mult, atunci când este utilizat ca disc exterior în depunerea de acoperire a carburii de tantal (TAC) pentru epitaxia SiC, susceptorul planetar de acoperire TAC oferă sprijin esențial și stabilitate. Acesta asigură depunerea uniformă a stratului de carbură de tantalum, contribuind la formarea de straturi epitaxiale de înaltă calitate, cu morfologie de suprafață excelentă și grosime dorită a filmului. Inerea chimică a acoperirii TAC împiedică reacțiile și contaminarea nedorite, menținând integritatea straturilor epitaxiale și asigurând calitatea lor superioară.

Conductivitatea termică excepțională a acoperirii TAC permite transferul eficient de căldură, promovând distribuția uniformă a temperaturii și minimizarea stresului termic în timpul procesului de creștere epitaxială. Acest lucru duce la producerea de straturi epitaxiale SIC de înaltă calitate, cu proprietăți cristalografice îmbunătățite și conductivitate electrică îmbunătățită.

Dimensiunile precise și construcția robustă a discului planetar de acoperire TAC facilitează integrarea în sistemele existente, asigurând o compatibilitate perfectă și o funcționare eficientă. Performanța sa fiabilă și acoperirea TAC de înaltă calitate contribuie la rezultate consistente și uniforme în procesele de epitaxie SIC.

Încredere Vetek Semiconductor și discul nostru planetar de acoperire TAC pentru o performanță și fiabilitate excepțională în epitaxia sic. Experimentați avantajele soluțiilor noastre inovatoare, poziționându -vă în fruntea progreselor tehnologice în industria semiconductorilor.