Tehnologie și soluții

Selectarea corectă a SiC CVD, acoperire TaC sau SiC solid determină direct nivelurile de particule și durata de viață a componentelor pe liniile de epitaxie/gravare. Acest articol oferă limite clare de selecție în funcție de temperatură, atmosferă și proces, combinate cu soluții majore de înlocuire a echipamentelor și valori cheie, pentru a vă ajuta să luați decizii rapide și să reduceți riscul.

Descoperiți cum tehnologia laser ghidată de apă VeTek oferă găuri uniforme de Φ0,15 mm în substraturi SiC de 2 mm fără conicitate, HAZ minimă și randament ridicat pentru aplicații cu semiconductori.

Cea mai dificilă problemă tehnică pentru știfturile de ridicare goale ale echipamentelor semiconductoare nu este acoperirea suprafeței exterioare, ci obținerea unei acoperiri CVD stabile și uniforme pe peretele interior al structurii goale. De la controlul uniformității acoperirii peretelui interior până la asigurarea curățeniei găurii interne, fiecare pas al procesului afectează direct randamentul plachetei. Acest articol analizează provocările de bază ale acoperirii peretelui interior cu știfturi goale de ridicare și căile tehnice cheie.