Inel de ghidare din grafit poros

Avantajele de bază ale produsului

1. Garanție de puritate ultra-înaltă și defecțiuni reduse

Adoptă un proces de purificare cu vid de 3000℃ la temperatură înaltă pentru a îndepărta în profunzime impuritățile nemetalice, cum ar fi oxigenul și azotul, crescând puritatea produsului la ≥99,9995%. Elimină defectele cristalului induse de impurități (de exemplu, microtubuli, dislocații) de la sursă, asigurând consistența și stabilitatea proprietăților electrice ale monocristalelor de SiC și punând o bază solidă pentru creșterea cristalelor de înaltă calitate.

2. Stabilitate la temperaturi ultra-înalte și reglare precisă a câmpului termic

Poate rezista la temperaturi extrem de ridicate de 2200℃ într-un mediu cu argon sau vid, funcționând continuu și stabil timp de peste 1000 de ore, fără înmuiere sau deformare. Produsul are un coeficient scăzut de dilatare termică, care poate evita eficient fisurarea materialului cauzată de stresul termic. Suportă proiectarea de distribuție a gradientului de porozitate (15-30%) și optimizează dimensiunea porilor (10-200μm) combinată cu tehnologia de simulare CFD (Computational Fluid Dynamics), controlând fluctuația gradientului de temperatură în ± 3℃ și îmbunătățind semnificativ uniformitatea câmpului termic și consistența creșterii cristalului.

3. Adaptare personalizată și satisfacție cu scenariul complet

• Adaptarea formei geometrice: Poate procesa cu precizie forme complexe, cum ar fi butoaiele inelare și structurile de scut cu mai multe straturi, în funcție de structurile cuptorului clienților pentru a obține o potrivire și o instalare perfectă.
• Personalizarea procesului de suprafață: Oferă servicii personalizate de tratare a suprafețelor, cum ar fi lustruire de ultra-precizie și acoperiri speciale, îmbunătățind considerabil rezistența la coroziune și durata de viață a produsului.

4. Performanță verificată și eficiență îmbunătățită

• Când este utilizat ca componentă de bază a câmpului termic în procesul de cristalizare PVT SiC, a fost verificat în scenarii practice:
• Rata de creștere a cristalului este crescută cu 15%-20% în comparație cu produsele tradiționale din grafit, scurtând semnificativ ciclul de producție.
• Randamentul plachetelor cu un singur cristal SiC de 4 inchi depășește 90%, reducând efectiv costurile de producție.
• Ciclul de întreținere a echipamentelor este extins de la 3 luni convenționale la 6 luni, reducând frecvența întreținerii opririi și îmbunătățind eficiența producției.
  
  

Scenarii de aplicare

• Ansamblu cuptor de creștere PVT: servește ca componentă de bază pentru sublimarea materialului SiC și creșterea cristalelor, oferind o distribuție stabilă și uniformă a câmpului termic pentru a asigura progresul lin al procesului de cristalizare.
• Componenta de protecție termică a câmpului: Structura unică poroasă poate amortiza eficient stresul termic, poate reduce uzura echipamentului și poate prelungi durata de viață generală a echipamentului.
• Accesoriu de suport pentru cristale semințe: posedă o rezistență mecanică ridicată pentru a susține stabil cristalele semințe, asigurând precizia creșterii direcționale a cristalelor.
• Strat de difuzie a gazului: Optimizează eficiența transferului în fază gazoasă, promovează sublimarea și depunerea uniforme a materiilor prime și îmbunătățește și mai mult calitatea și rata de creștere a monocristalului.

Parametrii tehnici

Principalele momente ale competiției

• Performanță extremă la temperatură ridicată: Menține stabilitatea structurală la 2200 ℃ fără înmuiere sau deformare, susținând funcționarea continuă timp de peste 1000 de ore pentru a îndeplini cerințele extreme ale procesului.
• Soluție de câmp termic personalizat: se bazează pe tehnologia de simulare CFD pentru a optimiza designul gradientului porilor, potrivindu-se cu exactitate nevoilor de proces ale clienților și îmbunătățind uniformitatea cristalului și randamentul produsului.
• Serviciu de răspuns rapid: Oferă servicii de testare a parametrilor de proces și furnizează soluții prototip în 72 de ore, ajutând clienții să accelereze procesele de cercetare și dezvoltare și producție.