Susceptitor planetar acoperit cu sic

Susceptorul planetar acoperit SIC este un transportator planetar acoperit cucarbură de siliciu (sic), care este utilizat în principal în procesele de depunere a materialelor semiconductoare, cum ar fi depunerea de vapori chimici metalici-organici (MOCVD), epitaxie cu fascicul molecular (MBE), etc. Funcția sa principală este de a transporta și roti napolitane pentru a asigura uniformitatea materială și consistența câmpului termic în timpul procesului de depunere. Funcția sa principală este de a transporta și roti napolitane pentru a asigura uniformitatea materialelor și consistența câmpului termic în timpul depunerii, iar acoperirea SIC oferă purtătorului rezistență excelentă la temperatură ridicată, rezistență la coroziune și conductivitate termică pentru semiconductor de înaltă precizieplacăprelucrare.

Scenarii de aplicare de bază pentru susceptorul planetar acoperit SIC

Procesul de creștere epitaxială MOCVD

În procesul MOCVD, susceptorul planetar acoperit SIC este utilizat în principal pentru a transporta napolitane de siliciu (SI), carbură de siliciu (SIC), nitrură de galiu (GAN), arsenidă de galiu (GAAS) și alte materiale.

● Cerințe funcționale: Poziționarea precisă și rotirea sincronizată a napolitanelor pentru a asigura distribuția uniformă a materialelor depuse de vapori pe suprafața plafonului și pentru a spori uniformitatea grosimii și compoziției filmului.

● Avantaj: Acoperirile SIC sunt rezistente la coroziune și pot rezista la eroziunea precursoarelor metal-organice extrem de reactive, cum ar fi Trimetilgallium (TMGA) și Trimetilindium (TMIN), prelându-și durata de viață.

Fabricarea dispozitivului de carbură de siliciu (SIC)

Susceptorul planetar acoperit SIC este utilizat pe scară largă în creșterea epitaxială a dispozitivelor de putere SIC, cum ar fi MOSFET, IGBT, SBD și alte dispozitive.

● Cerințe funcționale: Oferiți o platformă de egalizare termică stabilă în medii la temperaturi ridicate pentru a asigura calitatea cristalizării stratului epitaxial și controlul defectelor.

● Avantaj: Acoperirile SIC sunt rezistente la temperaturi ridicate (> 1600 ° C) și au un coeficient de expansiune termică (4,0 × 10^-6 K^-1) aproape de cea a napolitanelor din carbură de siliciu, care reduce efectiv tensiunile termice și îmbunătățește calitatea și stabilitatea stratului epitaxial.

Fabricarea epitaxială cu LED -uri ultraviolete profunde (DUV) și ultraviolete

Susceptorul planetar acoperit SIC este potrivit pentru creșterea epitaxială a materialelor precum nitrura de galiu (GAN) și a nitrurii de galiu de aluminiu (Algan) și este utilizat pe scară largă la fabricarea de LED-uri UV și micro-LED-uri.

● Cerințe funcționale: Mențineți controlul precis al temperaturii și distribuția uniformă a fluxului de aer pentru a asigura precizia lungimii de undă și performanța dispozitivului.

● Avantaj: Rezistența la conductivitate termică și oxidare ridicată permite o stabilitate excelentă la temperaturi ridicate pe perioade lungi de funcționare, contribuind la îmbunătățirea eficienței luminoase și a consistenței cipurilor LED.

Alegeți Vekemicon

Susceptorul planetar acoperit de Veteksemicon SIC a demonstrat avantaje de neînlocuit în medii de fabricație cu temperaturi ridicate, corozive, prin proprietățile sale unice și designul mecanic. Și principalele noastre produse susceptatoare planetare sunt susceptitorul planetar acoperit SIC,Susceptor planetar ALD, TAC Acoperire Planetar Susceptorși așa mai departe. În același timp, Veteksemicon se angajează să furnizeze produse personalizate și servicii tehnice industriei semiconductorilor. Sincer așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul dvs. pe termen lung în China.