Procesul de epitaxie SiC

Acoperirile unice de carbură de la VeTek Semiconductor oferă o protecție superioară pieselor din grafit în procesul de epitaxie SiC pentru procesarea materialelor semiconductoare și semiconductoare compozite solicitante. Rezultatul este prelungirea duratei de viață a componentei de grafit, păstrarea stoichiometriei reacției, inhibarea migrării impurităților către aplicații de epitaxie și creștere a cristalelor, ceea ce duce la creșterea randamentului și a calității.

Acoperirile noastre cu carbură de tantal (TaC) protejează componentele critice ale cuptorului și reactorului la temperaturi ridicate (până la 2200°C) de amoniacul fierbinte, hidrogenul, vaporii de siliciu și metalele topite. VeTek Semiconductor are o gamă largă de capabilități de procesare și măsurare a grafitului pentru a satisface cerințele dvs. personalizate, astfel încât să vă putem oferi o acoperire contra cost sau servicii complete, cu echipa noastră de ingineri experți gata să proiecteze soluția potrivită pentru dvs. și aplicația dvs. specifică .

Cristale semiconductoare compuse

VeTek Semiconductor poate oferi acoperiri speciale TaC pentru diferite componente și suporturi. Prin procesul de acoperire lider în industrie VeTek Semiconductor, acoperirea TaC poate obține puritate ridicată, stabilitate la temperatură ridicată și rezistență chimică ridicată, îmbunătățind astfel calitatea produsului a straturilor de cristal TaC/GaN) și EPl și prelungind durata de viață a componentelor critice ale reactorului.

Izolatoare termice

Componente de creștere a cristalelor SiC, GaN și AlN, inclusiv creuzete, suporturi pentru semințe, deflectoare și filtre. Ansambluri industriale, inclusiv elemente de încălzire rezistive, duze, inele de ecranare și dispozitive de lipire, componente ale reactoarelor CVD epitaxiale GaN și SiC, inclusiv suporturi de placă, tăvi satelit, capete de duș, capace și piedestale, componente MOCVD.

 ● LED (diodă emițătoare de lumină) Wafer Carrier

● Receptor ALD(Semiconductor).

● Receptor EPI (Procesul de epitaxie SiC)