Parte de sigilare sic

Partea de etanșare SIC joacă un rol cheie în procesarea semiconductorilor. Proprietățile sale excelente de material și efectul de etanșare fiabil nu numai că îmbunătățesc eficiența producției, dar asigură și calitatea și siguranța produsului.

Principalele avantaje ale etanșării carburii de siliciu:

Rezistență excelentă la coroziune: Printre materialele ceramice avansate, partea de etanșare veteksemi sic poate avea cea mai bună rezistență la coroziune în medii acide și alcaline. Această rezistență de coroziune inegalabilă asigură că partea de etanșare SIC poate funcționa eficient în medii corozive chimice, ceea ce o face un material indispensabil în industriile care sunt adesea expuse substanțelor corozive.

Ușor și puternic: Carbura de siliciu are o densitate de aproximativ 3,2 g/cm³ și, în ciuda faptului că este un material ceramic ușor, rezistența carburii de siliciu este comparabilă cu cea a diamantului. Această combinație de ușurință și rezistență îmbunătățește performanța componentelor mecanice, crescând astfel eficiența și reducând uzura în aplicații industriale solicitante. Natura ușoară a părții de etanșare SIC facilitează, de asemenea, o manipulare și instalarea mai ușoară a componentelor.

Duritate extrem de ridicată și conductivitate termică ridicată: Carbura de siliciu are o duritate Mohs de 9 ~ 10, comparabil cu diamantul. Această proprietate, combinată cu o conductivitate termică ridicată (aproximativ 120-200 W/M · K la temperatura camerei), permite sigiliilor SIC să funcționeze în condiții care ar deteriora materialele inferioare. Proprietățile mecanice excelente ale SIC sunt menținute la temperaturi de până la 1600 ° C, asigurându-se că sigiliile SIC rămân robuste și fiabile chiar și în aplicații la temperaturi ridicate.

Duritate ridicată și rezistență la uzură: Carbura de siliciu se caracterizează prin legături covalente puternice în rețeaua sa de cristal, oferindu -i o duritate ridicată și un modul elastic considerabil. Aceste proprietăți se traduc prin rezistență excelentă la uzură, reducând probabilitatea de îndoire sau deformare chiar și după utilizarea pe termen lung. Acest lucru face din SIC o alegere excelentă pentru piesele de etanșare SIC care sunt supuse stresului mecanic continuu și condițiilor abrazive.

Formarea stratului de dioxid de siliciu protector: Când este expus la temperaturi de aproximativ 1300 ° C într-un mediu bogat în oxigen, carbura de siliciu formează un dioxid de siliciu protector (SIO₂) strat pe suprafața sa. Acest strat acționează ca o barieră, împiedicând oxidarea și interacțiunile chimice suplimentare. Ca sio₂Stratul se îngroașă, protejează și mai mult SIC -ul de bază de alte reacții. Acest proces de oxidare auto-limitativ oferă SIC rezistență și stabilitate chimică excelentă, ceea ce face ca sigiliile SIC să fie potrivite pentru utilizare în medii reactive și la temperaturi ridicate.

Versatilitate în aplicații de înaltă performanță:Proprietățile unice ale carburii de siliciu o fac versatilă și eficientă într-o varietate de aplicații de înaltă performanță. De la garnituri mecanice și rulmenți până la schimbătoare de căldură și componente ale turbinei, capacitatea de etanșare a sic de a rezista la condiții extreme și de a -și menține integritatea îl face materialul ales în soluții de inginerie avansată.

Vetek Semiconductor s -a angajat să ofere soluții avansate de tehnologie și produse pentru industria semiconductorilor. În plus, produsele noastre SIC includ șiAcoperire cu carbură de siliciu, Ceramica din carbură de siliciuşiProcesul de epitaxie sicproduse. Bine ați venit la consultarea dvs. ulterioară.

Date SEM ale structurii de cristal de film CVD SIC：