Siliciu din carbură de acoperire

Semiconductor Siliciu din carbură de acoperireeste o acoperire de protecție de înaltă performanță realizată din material de carbură de siliciu extrem de dură și rezistentă la uzură (SIC), care oferă o rezistență excelentă la coroziune chimică și o stabilitate la temperatură ridicată. Aceste proprietăți sunt cruciale în producția de semiconductori, astfel încât acoperirea ceramică din carbură de siliciu este utilizată pe scară largă pe componentele cheie ale echipamentelor de fabricație a semiconductorilor.

Rolul specific jucat de Vetek Semiconductor Silicon Carbide Acoperirea ceramică în producția de semiconductori estedupă cum urmează:

Îmbunătățirea durabilității echipamentelor: Acoperirea ceramică din carbură de siliciu oferă o protecție excelentă a suprafeței pentru echipamentele de fabricație a semiconductorilor, cu rezistența sa extrem de ridicată și rezistență la uzură. În special în medii de proces cu temperaturi ridicate, extrem de corozive, cum ar fi depunerea de vapori chimici (CVD) și gravura cu plasmă, acoperirea cu ceramică din carbură de siliciu poate preveni eficient deteriorarea suprafeței echipamentului din cauza eroziunii chimice sau a uzurii fizice, prin urmare, extinderea semnificativă a duratei de viață a echipamentului și reducerea timpului de scădere cauzată de înlocuirea și întreținerea frecventă.

Îmbunătățirea purității procesului: În procesul de fabricație a semiconductorilor, orice contaminare minusculă poate provoca defecte ale produsului. Inerea chimică a acoperirii ceramice din carbură de siliciu îi permite să rămână stabilă în condiții extreme, să împiedice materialul să elibereze particule sau impurități și să asigure puritatea mediului în timpul procesului. Acest lucru este important în special pentru etapele de fabricație care necesită o precizie ridicată și o curățenie ridicată, cum ar fi PECVD și implantarea ionică.

Optimizați managementul termic: În procesarea semiconductorului la temperaturi înalte, cum ar fi procesarea termică rapidă (RTP) și procesele de oxidare, conductivitatea termică ridicată a acoperirii ceramice din carbură de siliciu permite o distribuție uniformă a temperaturii în interiorul echipamentului. Acest lucru ajută la reducerea stresului termic și a deformării materialelor cauzate de fluctuațiile temperaturii, îmbunătățind astfel precizia și consistența fabricației produselor.

Susțineți mediul de proces complex: În procesele care necesită un control complex al atmosferei, cum ar fi gravarea ICP și procesele de gravură PSS, stabilitatea și rezistența la oxidare a încălzitorului de acoperire ceramică din carbură de siliciu asigură performanța stabilă a echipamentului în funcționarea pe termen lung, reducând riscul de degradare a materialelor sau deteriorarea echipamentelor din cauza modificărilor mediului.

Semiconductorse concentrează pe fabricarea și furnizarea de înaltă performanțăSiliciu din carbură de acoperireși se angajează să ofere soluții avansate de tehnologie și produse pentru industria semiconductorilor.Sperăm sincer să fim partenerul tău pe termen lung în China.

Proprietăți fizice de bază aleSiliciu din carbură de acoperire:

Semiconductor Silicon Carbide Magazine de acoperire cu ceramică:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipului semiconductor: