încălzitor de grafit cu acoperire cu carbură din siliciu

Semiconductor Încălzitor de grafit cu acoperire cu carbură din siliciuCombină conductivitatea electrică și termică excelentă a grafitului cu rezistența la temperatură ridicată, rezistența la coroziune și rezistența la uzură a acoperirii ceramice din carbon de siliciu și este proiectată pentru medii de fabricație semiconductoare dure. 

Încălzitor de grafit cu acoperire cu carbură din siliciueste utilizat în principal în echipamentele de acoperire în vid (evaporare), iar metodele utilizate în mod obișnuit sunt PCD (uscare chimică plasmatică) și PVD (depunere de vapori fizici). Acest produs a jucat un rol important în promovarea progresului tehnologic și îmbunătățirea eficienței producției în industria semiconductorilor.Așteptăm sincer să cooperăm în continuare cu tine.

Materialul și caracteristicile structurale ale încălzitorului de grafit de acoperire din carbură din siliciu sunt următoarele:

Substrat de grafit: Grafitul este cunoscut pentru conductivitatea termică ridicată și coeficientul de expansiune termică scăzut. Poate răspunde rapid la schimbările de temperatură și poate menține stabilitatea structurală la temperaturi ridicate.

Silicon Carbon Ceramic Coating: Acoperirea SIC este acoperită uniform pe suprafața grafitului prin depunerea de vapori chimici sau prin alte procese avansate. SiC are o rezistență la o duritate extrem de ridicată și la coroziune chimică, ceea ce poate proteja substratul de grafit de oxidarea la temperatură ridicată și mediile corozive.

Proiectarea structurală a produsului special al carburii de siliciu de acoperire ceramică încălzitor de grafit determinăAvantajele produsului de neînlocuit ale acestui produs în procesul de procesare a semiconductorilor:

Încălzire eficientă și uniformă:

Conductivitate termică: Conductivitatea termică ridicată a grafitului permite încălzitorului să atingă și să mențină rapid temperatura necesară, iar acoperirea SIC asigură o distribuție uniformă a căldurii. Acest lucru este important în special pentru procesele semiconductoare care necesită un control precis al temperaturii, cum ar fi procesarea termică rapidă (RTP) și depunerea de vapori chimici (CVD).

Uniformitatea temperaturii: Prin distribuția uniformă a căldurii, încălzitorul de grafit cu acoperire cu carbură din siliciu poate reduce eficient stresul termic și gradientul de temperatură, asigurând consistența și stabilitatea calității napolitanelor cu semiconductor pe tot parcursul procesului de încălzire.

Protecția anti-coroziune:

Rezistență chimică: Rezistența la coroziune chimică a acoperirii SIC permite încălzitorului să funcționeze stabil și pentru o lungă perioadă de timp în medii corozive ale gazelor și chimice, evitând deteriorarea substratului de grafit. Această caracteristică este deosebit de critică în procesele precum depunerea de vapori chimici (CVD) și depunerea de vapori chimici îmbunătățiți în plasmă (PECVD).

Rezistență la oxidare: La temperaturi ridicate, acoperirea SIC poate preveni oxidarea substratului de grafit, poate extinde durata de viață a încălzitorului și poate reduce frecvența și costul întreținerii echipamentelor.

Reduceți contaminarea particulelor:

Stabilitatea suprafeței: Acoperirea SIC nu este doar rezistentă la uzură, dar împiedică și particulele să cadă de pe suprafața materialului din cauza ciclului termic sau a reacțiilor chimice, reducând astfel riscul de contaminare a particulelor care poate apărea în timpul fabricării semiconductorilor și asigurând un mediu de proces de curățare înaltă.

Îmbunătățirea fiabilității și eficienței procesului:

Design de viață lungă: Datorită combinației de rezistență mecanică a grafitului și a rezistenței la uzură a acoperirii SiC, încălzitorul de grafit cu acoperire cu carbură din siliciu poate menține o funcționare de înaltă eficiență pentru o lungă perioadă de timp în condiții dure de proces, îmbunătățind semnificativ fiabilitatea generală a echipamentului.

Utilizarea eficientă a energiei: Conductivitatea termică ridicată a grafitului și stabilitatea la temperaturi ridicate a acoperirii SIC permit încălzitorului să reducă consumul de energie, îmbunătățind în același timp precizia controlului temperaturii, îmbunătățind astfel eficiența generală a producției de semiconductori.

Proprietăți fizice de bază aleÎncălzitor de grafit cu acoperire cu carbură din siliciu:

SemiconductorÎncălzitor de grafit cu acoperire cu carbură din siliciumagazine:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipului semiconductor:

/alt proces