Tava de transportator de wafer

Puteți fi sigur că cumpărați tava Wafer Carrier din fabrica noastră.

Vetek Semiconductor oferă în principal piese de grafit de acoperire CVD SIC, cum ar fi tava de transport de wafer pentru echipamentele SIC-CVD cu semiconductor din a treia generație și este dedicat furnizării de echipamente de producție avansate și competitive pentru industrie. Echipamentele SIC-CVD sunt utilizate pentru creșterea stratului epitaxial omogen cu un singur cristal cu un singur cristal, pe substratul de carbură de siliciu, foaia epitaxială SIC este utilizată în principal pentru fabricarea dispozitivelor electrice, cum ar fi Diode Schottky, IGBT, MOSFET și alte dispozitive electronice.

Echipamentul combină îndeaproape procesul și echipamentul. Echipamentul SiC-CVD are avantaje evidente în ceea ce privește capacitatea de producție mare, compatibilitatea cu 6/8 inchi, costul competitiv, controlul continuu al creșterii automate pentru mai multe cuptoare, rata scăzută de defecte, comoditatea de întreținere și fiabilitatea prin proiectarea controlului câmpului temperaturii și controlului câmpului debitului. Combinat cu tava de transport pentru napolitană acoperită cu SiC furnizată de Vetek Semiconductor, poate îmbunătăți eficiența de producție a echipamentului, poate prelungi durata de viață și poate controla costurile.

Tava de purtător de la Wafer-ul Vetek Semiconductor are în principal o puritate ridicată, o stabilitate de grafit bună, o precizie ridicată de procesare, plus acoperire CVD SIC, stabilitate la temperatură ridicată: acoperirile cu carbură de siliciu au o stabilitate excelentă la temperatură ridicată și protejează substratul de căldură și coroziune chimică în medii de temperatură extrem de ridicate și de temperatură extrem de ridicată și .

Duritate și rezistență la uzură: acoperirile cu siliciu-carbură au de obicei o duritate ridicată, oferind o rezistență excelentă la uzură și prelungind durata de serviciu a substratului.

Rezistență la coroziune: Acoperirea cu carbură de siliciu este rezistentă la coroziune la multe substanțe chimice și poate proteja substratul de deteriorarea coroziunii.

Coeficient redus de frecare: acoperirile cu siliciu-carbură au de obicei un coeficient scăzut de frecare, ceea ce poate reduce pierderile de frecare și poate îmbunătăți eficiența de lucru a componentelor.

Conductivitate termică: acoperirea cu carbură de siliciu are de obicei o conductivitate termică bună, ceea ce poate ajuta substratul să disperseze mai bine căldura și să îmbunătățească efectul de disipare a căldurii componentelor.

În general, acoperirea cu carbură de siliciu CVD poate oferi o protecție multiplă pentru substrat, își poate extinde durata de viață și își poate îmbunătăți performanța.

Proprietăți fizice de bază ale acoperirii CVD SIC:

Magazine de productie:

Prezentare generală a lanțului industriei de epitaxie a cipurilor semiconductoare: